高密度探針卡量測，為何必須走向 3D 輪廓分析？

 

隨著半導體測試腳位數提升與 pitch 持續縮小，高密度探針卡（垂直式探針卡 Vertical Probe Card / 微機電探針卡 MEMS Probe Card）的幾何一致性，已直接影響接觸穩定度與測試良率。針尖高度分佈、局部翹曲或系統性偏移，若無法被完整掌握，往往在量產後才浮現問題。

傳統工具顯微鏡以「局部、抽樣、人工判讀」為核心，在高密度情境下逐漸暴露三大限制：

1. 視野不足，需反覆移動與對焦，效率與一致性難以兼顧

 

拼湊的視野，難窺全貌

 

2. 抽樣風險高，容易錯過區域性或群組性異常

抽樣的賭注，錯失群組性異常
 

 

3. 結果高度依賴操作者經驗，缺乏可追溯、可比較的工程數據

依賴經驗，缺乏可以比較的數據經驗

 

工程現場真正需要的，早已不是「量得到某一點」，而是「判讀整體結構是否一致」。在高密度結構中，測試穩定度更取決於同層針尖的相對高度關係與分佈趨勢，而非單點的絕對數值。若只依賴局部量測，反而容易將整體姿態誤判為個別缺陷。

穩定度取決於相對高度關係與分布趨勢，而非單點的絕對數值

3D 輪廓量測正是在此背景下成為關鍵技術。透過完整的高度分佈資料，可將全區結構納入同一基準進行比較，讓工程判讀從經驗導向，轉為數據導向。